SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4207 ， REV 。 -
1N6510
隔离二极管阵列
应用范围：
高频数据线
RS - 323 & RS - 432网络
局域网，以太网， I / O端口
IEC61000-4对于ESD / EFT /浪涌兼容
产品特点：
保护多达8个I / O端口
隔离二极管消除串音
高密度封装
高击穿电压;高速开关（ < 10纳秒）
低电容;低漏
密封陶瓷封装
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
o
最大额定值：
所有型号均在25℃ ，除非另有说明
特征
符号
条件
反向击穿电压
V
BR
每二极管，脉冲@我
R
= 5
A
P
w
=300
s
+/- 50微秒;值班< 2 ％
o
连续正向电流
I
F
每二极管，减免在2.4毫安/ C
o
上述25℃
峰值浪涌电流
I
FSM
每二极管， TP = 8.3毫秒
功耗
P
D
每结
功耗
P
D
每包，在降额
o
o
4毫瓦/ C以上25°C
马克斯。工作温度
T
J
-
马克斯。储存温度
T
英镑
-
马克斯。
75
300
500
400
500
-65到+150
-65到+200
单位
VDC
mA
mA
mW
mW
C
C
电气特性：
所有的评级是每个二极管，在25 C除非另有说明
特征
符号
条件
马克斯。正向电压降
马克斯。反向电流
马克斯。电容（引脚来
针）
马克斯。正向恢复
时间
马克斯。反向恢复
时间
马克斯。正向电压匹配
V
F1
I
R1
I
R2
C
T
T
FR
T
RR
V
F5
I
F
= 100mA时脉冲：P
w
=300µs
+/- 50微秒;占空比< 2 ％
@V
R
= 40V
@V
R
= 20V
@V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
= 100毫安
I
f
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1mA时，
R
L
= 100欧姆
I
f
= 10毫安
o
马克斯。
1.00
0.1
25
4.0
15
10
5
单位
V
µA
nA
pF
ns
ns
mV
©2004 Sensitron半导体
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com
SENSITRON [ SENSITRON ]
