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2N7224 参数 Datasheet PDF下载

2N7224图片预览
型号: 2N7224
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内容描述: 密封功率MOSFET N沟道 [HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 62 K
品牌: SENSITRON [ SENSITRON ]
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表161 , REV -
(另见数据表766 )
2N7224
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点:
œ
100伏, 0.07欧姆MOSFET
œ
隔离和密封式
œ
简单的驱动要求
œ
重复雪崩额定值
最大额定值
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
所有评级ARE AT&T
A
= 25℃ ,除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
JC
P
D
¡
V
GS
= 10V ,T
C
= 25•C
V
GS
= 10V ,T
C
= 100•C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25•C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25•C
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
–20
34
21
136
150
0.83
150
单位
安培
安培
•C
° C / W
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时,我
D
= 1.0毫安
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V ,我
D
= 21A
V
GS
= 10V ,我
D
= 34A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
正向跨导
V
DS
˜
15V ,我
DS
= 21A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级,V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。等级
V
GS
= 0V ,T
J
= 125•C
门源漏FORWARD
@评级
门源漏反向
V
GS
总栅极电荷
V
GS
= 10伏
门源费
50 %额定V
DS
栅漏电荷
额定我
D
打开延迟时间
V
DD
= 50V
上升时间
额定我
D
关闭延迟时间
R
G
= 2.35W
下降时间
二极管的正向电压
T
J
= 25 ° C,I
S
= 34A,
V
GS
= 0V
二极管的反向恢复时间
T
J
= 25•C
反向恢复电荷
I
f
=额定ID
的di / dt = 100A /秒
输入电容
V
GS
= 0伏
输出电容
V
DS
= 25伏
反向传输电容
F = 1 MHz的
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(上)
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
-
2.0
9.0
-
-
-
-
-
-
-
0.07
0.081
4.0
-
25
250
100
-100
125
22
65
35
190
170
130
1.8
500
2.9
-
W
S(1/W)
mA
-
50
8
15
-
-
-
-
nA
nC
纳秒
-
-
-
-
-
3700
1100
200
纳秒
mC
pF
 
 
 
 
221西工业苑
 
鹿园,NY 11729-4681
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传真:( 631 ) 242-9798