SENSITRON__________
半导体
技术参数
数据表4290 REV 。一
SHB601052FP
SHB601052FN
碳化硅3相半波桥
描述：
1200伏， 5安培功率碳化硅3相半波桥IN A
HERMETIC 5引脚TO- 258 （ MO- 078 ）封装。
产品特点：
•
无恢复时间或反向恢复损耗
•
没有温度影响的开关行为
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大电流输出（附T
C
= 65
O
C）每支架
最大可重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的正弦）每腿，T
C
= 25
O
C
最大非重复正向浪涌电流
（T = 10微秒，脉冲）每腿，T
C
= 25
O
C
最大功耗，T
C
= 25
O
C
最大热阻，结到外壳
最大工作和存储温度范围*
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FRM
I
FSM
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
1200
5
30
100
30
1.2
-55〜
+200
单位
伏
安培
安培
安培
W
° C / W
°C
*
注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。然而，扩展业务使用的封装装置的
175℃以上会降低其未来表现。所有资格测试和筛选符合MIL -PRF- 19500只进行到175℃ 。
电气特性
特征
最大正向电压降（我
f
= 5 A每支架）V
f
T
J
=25
°C
T
J
=150
°C
最大反向电流（ 1200V PIV每支架）I
r
最大结电容（ V
r
= 5V ）每腿
T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
C
T
典型值
1.65
2.55
0.05
0.10
450
28
不适用
马克斯。
1.80
3.00
0.20
1.00
mA
pF
nC
伏
单位
总电容充电（V
R
= 1200V ，我
F
= 5A ，的di / dt = 500A / μs到
T
J
= 25 ° C） Q
C
每腿
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
•
221西工业苑
•
鹿园，NY 11729-4681
•
电话（ 631 ） 586-7600
•
传真：（ 631 ） 242-9798
•
•
万维网 - http://www.sensitron.com
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
•
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