SENSITRON
半导体
技术参数
数据表780 ， REV 。 -
SHD218414
SHD218414A
SHD218414B
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
•
1000伏， 3.0欧姆， 3A MOSFET
•
电气绝缘，全密封
•
电相当于MTC3N100E
最大额定值
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
θJC
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
3.0
2.4
9.0
+150
0.89
140
单位
伏
安培
安培
°C
° C / W
瓦
V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
V
GS
= 10V ，T
C
= 100°C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25°C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25°C
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
正向跨导
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.5A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=最大。评级，V
GS
= 0V
V
DS
=最大。等级
V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
门源漏FORWARD V
GS
= -20V
门源漏反向
V
GS
= 20V
总栅极电荷
V
GS
= 10V
门源费
V
DS
=最大。 Ratingx0.5
栅漏电荷
I
D
= 3.0A
打开延迟时间
V
DD
= 400V,
上升时间
I
D
= 3.0A,
关闭延迟时间
R
G
= 9.1Ω
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.0A,
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
二极管的反向恢复时间
T
J
= 25°C,
反向恢复电荷
I
S
= 3.0A,
DIS / DT = -100A /微秒
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0MHz的
符号
BV
DSS
分钟。
1000
-
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
2.0
2.0
-
I
DSS
3.0
-
3.56
-
10
100
-
-
-
32.5
6.0
14.6
13
19
42
33
-
-100
100
-
nA
nC
4.0
4.0
-
伏
S(1/Ω)
μA
典型值。
-
马克斯。
-
单位
伏
Ω
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
-
-
25
40
90
55
1.1
纳秒
伏
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
615
-
纳秒
μC
pF
-
2.92
1316
117
26
1800
260
75
•
221西工业苑
•
鹿园，NY 11729-4681
•
电话（ 631 ） 586-7600
•
传真：（ 631 ） 242-9798
•
•
万维网网站 - http://www.sensitron.com
•
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
•
SENSITRON [ SENSITRON ]
