SENSITRON
半导体
技术参数
数据表303 ， REV 。 B
原型号SHD2181 / A / B
SHD218501
SHD218501A
SHD218501B
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
•
60伏， 0.027欧姆， 45A MOSFET
•
隔离密封金属封装
•
快速开关
•
低R
DS （ ON）
•
相当于IRFM054系列
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
P
D
分钟。
-
-
-
-
-55
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
45
35
220
+150
200
单位
伏
安培
安培
°C
瓦
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
@ T
C
= 25°C
V
GS
= 10V
@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25°C
工作和存储温度
器件总功耗@ T
C
= 25°C
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
正向跨导
V
DS
≥
15V ，我
DS
= 35A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DD
= 30V,
上升时间
I
D
= 35A,
关闭延迟时间
R
G
= 2.35Ω
下降时间
二极管的正向电压
T
C
= 25 ° C，I
S
= 35A,
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25°C,
I
F
= 35A,
DI / DS
≤
100A /微秒，V
DD
≤
50V
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
热阻，结到外壳
BV
DSS
60
-
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
2.0
20
-
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
250
100
-100
33
180
100
100
2.5
280
纳秒
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
thJC
-
4600
2000
340
-
-
pF
0.6
° C / W
µA
nA
0.027
4.0
-
Ω
伏
S(1/Ω)
-
伏
纳秒
-
-
-
-
伏
-
•
221西工业苑
•
鹿园，NY 11729-4681
•
电话（ 516 ） 586-7600
•
传真（ 516 ） 242-9798
•
•
万维网网站 - http://www.sensitron.com
•
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
•
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