SENSITRON
半导体
技术参数
数据表893 ， REV 。 -
SHD219403
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
200伏， 0.21欧姆， 14A MOSFET
陶瓷密封封装
快速开关
低R
DS （ ON）
电相当于IRFY240
最大额定值
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
mA
漏极至源极通态电压
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A ，T
C
= 125C
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
正向跨导
V
DS
2V
DS （ ON）
, I
D
= 10A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ，T
C
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DD
= 100V,
上升时间
I
D
=14A,
关闭延迟时间
R
G
= 5.0W,
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
T
C
= 25 ° C，I
S
= 14A,
V
GS
= 0V
反向恢复时间
I
f
= I
S
,
di
F
/ DS = 100A /毫秒，
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
BV
DSS
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
¡
等级
栅极至源极电压
ON-状态下的漏电流V
DS
2V
DS （ON ） ，
V
GS
= 10V
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
所有评级ARE AT＆T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D（上）
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
JC
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
-
200
-
-
2.0
6.0
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
1.8
-
-
-
0.1
0.2
-
17
52
36
30
-
500
1300
400
130
马克斯。
20
14
56
+150
0.72
175
-
2.1
0.21
0.40
4.0
-
0.25
1.0
100
-100
-
单位
伏
安培
安培
C
° C / W
瓦
伏
伏
W
伏
S(1/W)
mA
nA
纳秒
伏
纳秒
pF
-
-
-
1.5
-
-
SENSITRON [ SENSITRON ]
