SENSITRON
半导体
技术参数
数据表896 ， REV -
SHD219503
密封功率MOSFET
N沟道
描述： 200伏， 0.100欧姆MOSFET在密闭陶瓷LCC -3P封装。
最大额定值
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 17A
脉冲测试，T
300
女士，
占空比ð
2%
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0VDC
V
DS
= 0.8xMax 。等级
V
GS
=为0 Vdc ，T
J
= 125C
门到身体漏电流
V
GS
=
20Vdc,
BV
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
V
GS
= 10 VDC
门源管V
DS
= 0.5V最大。评级
栅漏电荷
I
D
= 27.4A
打开延迟时间
V
DD
= 100V,
上升时间
I
D
= 27.4A,
关闭延迟时间
R
G
= 6.2W
下降时间
正向电压
I
F
= 27.5A ，V
GS
= 0V
脉冲测试，T
300
女士，
占空比ð
2%
反向恢复时间
I
F
= 25A
反向恢复电荷
的di / dt = 100A /毫秒
V
DD
50V
输入电容
V
DS
= 25伏直流电，
输出电容
V
GS
= 0伏，
反向传输电容
F = 1 MHz的
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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¡
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
@ T
C
= 25C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
JC
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
20
27.4
120
+150
0.36
345
单位
伏
安培
安培（ PK）
C
° C / W
瓦
200
2.0
-
-
-
-
-
-
-
4.0
0.10
25
250
100
115
22
60
35
190
170
130
1.9
950
-
-
伏
W
mA
nA
nC
纳秒
-
55
8
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.8
3500
700
110
伏
纳秒
mC
pF
SENSITRON [ SENSITRON ]
