SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4139 ， REV -
SHD220213
密封功率MOSFET
N沟道逻辑电平
产品特点：
55伏， 0.06欧姆MOSFET
密封式
添加一个“C” ，为陶瓷密封部件号（ SHDC220213 ）
表面贴装封装
最大额定值
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
mA
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
V
GS
= 5V ，我
D
= 11A
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
正向跨导
V
DS
= 25V ，我
D
= 11A
零栅压漏极电流，T
J
= 25C
(V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ），T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 16V
门源漏反向
V
GS
= -16V
总栅极电荷
V
GS
= 5V,
门源费
V
DS
= 44V,
栅漏电荷
I
D
= 11A
打开延迟时间
V
DD
= 28V,
上升时间
I
D
= 11A,
关闭延迟时间
R
G
= 12W,
下降时间
V
GS
= 5V
二极管的正向电压
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25C,
I
S
= 11A,
的di / dt
100A/msec,
反向恢复电荷
V
DD
25V
输入电容
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
输出电容
F = 1.0MHz的
反向传输电容
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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¡
等级
栅极至源极电压
连续漏电流V
GS
= 10V ，T
C
= 25C
V
GS
= 10V ，T
C
= 100C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
JC
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
16
17
11
68
+175
3.5
35
单位
伏
安培
安培
C
° C / W
瓦
55
-
1.0
6.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.060
0.075
2.0
-
25
250
100
-100
15
3.7
8.5
11
133
35
66
1.3
90
200
-
伏
W
伏
S(1/W)
mA
nA
nC
纳秒
伏
纳秒
mC
pF
-
-
-
-
-
520
140
50
SENSITRON [ SENSITRON ]
