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    SHD224805 参数 Datasheet PDF下载

    SHD224805图片预览
    型号： SHD224805
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 密封功率MOSFET N沟道 [HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 39 K
    品牌： SENSITRON [ SENSITRON ]
     浏览型号SHD224805的Datasheet PDF文件第2页  
    SENSITRON
    半导体
    技术参数
    DATA SHEET 5159修订版 -
    SHD224805
    密封功率MOSFET
    N沟道
    产品特点：
    •
    600伏， 60A ， 55毫欧姆
    •
    隔离密封金属封装
    •
    栅电荷极低
    •
    非常低R
    DS （ ON）
    •
    低封装电感，易于驾驶和保护
    最大额定值
    等级
    栅极至源极电压
    通态漏电流@ T
    C
    = 25°C
    漏电流脉冲@ T
    C
    = 25°C
    工作和存储温度
    热阻，结到外壳
    器件总功耗@ T
    C
    = 25°C
    所有评级ARE在T = 25 ℃，除非另有规定。
    C
    符号
    V
    GS
    I
    D（上）
    I
    DM
    T
    OP
    /T
    英镑
    R
    thJC
    P
    D
    分钟。
    -
    -
    -
    -55
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    ±20
    60
    220
    +150
    0.36
    350
    单位
    伏
    安培
    安培
    °C
    ° C / W
    瓦
    电气特性
    等级
    漏源击穿电压
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250
    μA
    静态漏极至源极通态电阻
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 44A
    栅极阈值电压
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 3毫安
    零栅极电压漏极电流
    V
    DS
    = 600V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 0.8xMax 。评级，V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    门源漏FORWARD
    V
    GS
    = 20V
    门源漏反向
    V
    GS
    = -20V
    打开延迟时间
    V
    DS
    = 400V,
    上升时间
    I
    D
    = 44A,
    关闭延迟时间
    R
    G
    = 3.3Ω,
    下降时间
    V
    GS
    = 10V
    二极管的正向电压
    I
    S
    = 44A,
    V
    GS
    = 0V
    反向恢复时间
    I
    F
    = 44A ， -di / DT = 100A /微秒，V
    R
    = 100V
    输入电容
    V
    GS
    = 0 V
    输出电容
    V
    DS
    = 100 V
    F = 1 MHz的
    栅极电荷
    I
    F
    = 44A ，V
    DS
    = 400 V, V
    GS
    = 10V ，R
    G
    = 3.3Ω
    符号
    BV
    DSS
    分钟。
    600
    -
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    -
    -
    2.0
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    40
    30
    130
    20
    -
    0.055
    4.0
    20
    500
    100
    -100
    -
    Ω
    伏
    μA
    μA
    nA
    马克斯。
    -
    单位
    伏
    纳秒
    -
    1.35
    伏
    t
    rr
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    -
    -
    600
    6800
    320
    -
    -
    纳秒
    pF
    Q
    gs
    Q
    gd
    Q
    g
    -
    34
    51
    150
    -
    -
    190
    nC
    © 2010 Sensitron半导体
    •
    221西工业苑
    •
    鹿园，NY 11729-4681
    •
    电话（ 631 ） 586-7600
    •
    •
    传真：（ 631 ） 242-9798
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    www.sensitron.com
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