SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4102 ， REV 。 -
SHD225452
密封功率MOSFET
P沟道
产品特点：
-100伏， 0.07欧姆， -34A MOSFET
快速开关
低R
DS （ ON）
电相当于IRF5210
添加一个“ S”的零件编号的末尾S- 100筛选， SHD225452S
添加一个“C” ，为陶瓷密封部件号， SHDC225452
最大额定值
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
所有评级ARE AT＆T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
T
OP
/T
英镑
R
thJC
P
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-
-
-55
-
-
-100
-
-2.0
10
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
20
-34
-21
+150
1.0
125
-
0.07
-4.0
-
-25
-250
100
-100
180
25
100
28
150
100
120
-1.6
260
1.8
-
单位
伏
安培
C
° C / W
瓦
伏
W
伏
S(1/W)
mA
nA
nC
V
GS
= -10V ，T
C
= 25C
V
GS
= -10V ，T
C
= 100C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= -250mA
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= -10V ，我
D
= -21A
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= -250mA
正向跨导
V
DS
= -15V ，我
DS
= -21A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=最大。评级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
总栅极电荷
V
GS
= -10 V,
门源费
V
DS
= -80 V,
栅漏电荷
I
D
= -21A
打开延迟时间
V
DD
= -50V,
上升时间
I
D
= -21A
关闭延迟时间
R
G
= 2.5W
下降时间
二极管的正向电压
T
j
= 25 ° C，I
S
= -21A
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25C,
I
f
= -21A
di
F
/ DS = 100A /毫秒
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= -25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
纳秒
伏
纳秒
mC
pF
-
-
-
-
-
-
2730
824
465
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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