SENSITRON
半导体
技术参数
数据表370 ， REV 。一
SHD226412
SHD226412R
密封功率MOSFET
N沟道
说明： 100伏， 33 AMP ， 0.06 OHM MOSFET在密封TO- 257封装。
最大额定值
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
JC
P
D
¡
V
GS
= 10V ，T
C
= 25C
V
GS
= 10V ，T
C
= 100C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
20
33
20
99
+150
0.80
150
单位
伏
安培
安培（ PK）
C
° C / W
瓦
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
漏极至源极导通电阻
I
D
= 16.5A ，V
GS
= 10V @ T
J
= 25C
正向跨导
V
DS
= 80VDC ，我
DS
= 16.5A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100V直流，V
GS
= 0VDC
V
DS
= 100V直流
V
GS
=为0 Vdc ，T
J
= 125C
门到身体漏电流
V
GS
=
20Vdc,
V
DS
= 0VDC
总栅极电荷
(V
GS
= 10 VDC ，
门源费
V
DS
= 80VDC ，
栅漏电荷
I
D
= 33Adc ）
打开延迟时间
(V
DD
= 50V,
上升时间
I
D
= 33Adc ，
关闭延迟时间
V
GS
= 10 VDC ，
下降时间
R
G
= 9.1W)
正向电压，
(I
S
= 33Adc ，V
GS
= 0V)
(I
S
= 33Adc ，V
GS
=为0 Vdc ，T
J
= 125C)
反向恢复时间
(I
S
= 33Adc ，V
GS
= 0VDC
反向恢复电荷
的di / dt = 100A /毫秒）
输入电容
(V
DS
= 25伏直流电，
输出电容
V
GS
= 0伏，
反向传输电容
F = 1 MHz）的
BV
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（上）
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
-
8.0
-
-
-
-
-
-
0.06
-
10
100
+100
-100
110
40
330
100
170
2.0
144
.93
2500
1200
1100
伏
W
S(1/W)
mA
-
-
52
12
32
18
164
48
83
1.0
0.98
-
1830
678
559
nA
nC
纳秒
-
-
-
-
伏
纳秒
mC
pF
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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