SENSITRON
半导体
技术参数
数据表473 ， REV 。 -
SHD225602
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
100伏， 75A ， 0.025欧姆， MOSFET
隔离密封金属封装
快速内在整流器
低R
DS （ ON）
低封装电感，易于驾驶和保护
类似的部件类型 - IXTD75N10
等级
栅极至源极电压
通态漏电流@ T
C
= 25C
漏电流脉冲@ T
C
= 25C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
符号
V
GS
I
D（上）
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
thJC
P
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-
-
-
-55
-
-
100
-
2.0
25
-
-
-
¡
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
20
60
80
60
-
-
4500
1600
800
马克斯。
20
75
300
+150
0.32
390
-
0.025
4.0
-
250
1.0
100
-100
30
110
110
90
1.75
200
-
单位
伏
安培
安培
C
° C / W
瓦
伏
W
伏
S(1/W)
mA
mA
nA
纳秒
伏
纳秒
pF
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
mA
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 37.5A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
正向跨导
V
DS
10V ，我
D
= 75A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ，T
C
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DS
= 0.5V,
上升时间
I
D
= 37.5A,
关闭延迟时间
R
G
= 2.0W,
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
T
C
= 25 ° C，I
S
= 75A,
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25C
I
f
= 25A ，的di / dt = 100A /毫秒，V
r
= 25V
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
-
-
-
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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