SENSITRON
半导体
技术数据，
数据表4080 ， REV 。 ê
SHD620052
SHD620052P
HERMETIC碳化硅整流器
描述：
1200伏， 5安培功率碳化硅整流器在陶瓷
HERMETIC LCC -5封装
产品特点：
•
无恢复时间或反向恢复损耗
•
没有温度影响的开关行为
•
屏蔽版本可供选择
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
= 65
O
C,
单包）
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
= 65
O
C,
双包）
最大可重复正向浪涌电流每支架
O
（T = 8.3ms的，正弦波）T
C
= 25 C
最大非重复正向浪涌电流每支架
O
（T = 10微秒，脉冲）T
C
= 25 C
最大功耗，T
C
= 25
O
C
最大热阻，结到外壳
最高工作温度范围
最大工作和存储温度范围*
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
O
I
FRM
I
FSM
马克斯。
1200
5
10
30
100
单位
伏
安培
安培
安培
安培
P
d
R
θ
JC
顶部
顶， TSTG
15
2.60
-55到+175
-55到+200
W
° C / W
°C
°C
*
注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。然而，扩展业务使用的封装装置的
175℃以上会降低其未来表现。所有资格测试和筛选符合MIL -PRF- 19500只进行到175℃ 。
电气特性
特征
最大正向电压降（我
f
= 5 A)
V
f
T
J
= 25
°C
T
J
= 175
°C
最大反向电流（ 1200V PIV ）
I
r
T
J
= 25
°C
T
J
=150
°C
最大结电容（ V
r
=5V)
C
T
典型值
1.6
2.6
0.05
0.10
450
28
马克斯。
1.8
3.0
0.20
1.00
单位
伏
mA
PF
总容性充电（V
R
= 1200V我
F
= 5A的di / dt = 500A / μs的牛逼
J
= 25 ° C） Q
C
不适用
nC
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
•
221西工业苑
•
鹿园，NY 11729-4681
•
电话（ 631 ） 586-7600
•
传真：（ 631 ） 242-9798
•
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万维网 - http://www.sensitron.com
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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