SENSITRON
半导体
技术参数
DATA SHEET 5191修订版 -
SHDC625052
SHDC625052P
SHDC625052N
SHDC625052D
HERMETIC碳化硅整流器
描述：
1200伏， 10安培电源碳化硅整流器在陶瓷
HERMETIC TO- 254封装（玻璃密封，此电压不可用）
产品特点：
•
无恢复时间或反向恢复损耗
•
没有温度影响的开关行为
•
高频率选项
- 非磁性Glidcop引线可用于改进的性能在
高频;使用部件编号前缀SHDG
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大电流输出（附T
C
= 65
O
C，对零件编号
与P和N后缀）
最大电流输出（附T
C
= 65
O
C，部件号
带D后缀或无后缀）
最大非重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的正弦）每腿，T
C
= 25
O
C
最大非重复正向浪涌电流
（T = 10微秒，脉冲）每腿，T
C
= 25
O
C
最大功耗，T
C
= 25
O
C
最大热阻，结到外壳（每双
包的共阴极/阳极配置）
最大工作和存储温度范围*
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
O
I
FRM
I
FSM
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
1200
10
5
30
100
30
1.50
-55〜
+200
单位
伏
安培
安培
安培
安培
W
° C / W
°C
*
注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。但是，延长
操作使用封装器件175以上的可能会降低其未来表现。所有合格测试与
每MIL -PRF- 19500的筛选将只进行到175℃ 。
电气特性
特征
最大正向电压降（我
f
= 5 A每支架）V
f
T
J
=25
°C
T
J
=150
°C
最大反向电流（ 1200V PIV每支架）I
r
T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
总容性充电（V
R
= 1200V ，我
F
= 5A ，的di / dt = 500A / μs）内Q
C
结电容（ V
r
= 5V ）每腿
C
T
典型值
1.65
2.55
0.05
0.10
28
450
马克斯。
1.80
3.00
0.20
1.00
不适用
mA
nC
pF
伏
单位
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