SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5024 ,初步
SPM4012006
双MOSFET桥,闸极驱动器
描述: 60伏, 12 AMP ,双MOSFET桥
驾驶12A峰值电压为60V的高密度双H桥capabable 。这个小
足迹双桥包含低导通电阻功率FET , FET驱动器和精密
电流检测reistors 。该设备不需要散热,并装在一个
封装密封外壳。该驱动器的输入信号是TTL compatable 。
(Tj=25
0
C除非另有说明)
符号
民
典型值
最大
单位
PER MOSFET器件电气特性
参数
MOSFET规格(每设备)
漏极至源极击穿电压
BV
DSS
60
-
-
V
连续的漏电流
T
C
= 25
O
C
T
C
= 100 C
O
I
D
-
-
12
8.7
A
漏电流脉冲,脉冲宽度限制为1毫秒
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V牛逼
i
=25 C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0V牛逼
i
=125 C
静态漏 - 源极导通电阻,
I
D
= 7.5A ,V
GS
= 10V,
最大热阻
T
j
= 25
O
C
T
j
= 150 C
O
o
o
I
DM
I
CSS
-
-
-
-
97
A
20
250
R
DSON
-
7.4
14.8
R
θJC
T
JMAX
T
JMAX
tr
tf
-
-
9.4
18.8
35
o
uA
uA
mΩ
C / W
o
最大工作结温
-40
-
150
C
最大存储结温
上升时间
下降时间
-55
-
20
20
150
o
C
ns
ns
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