SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5030 ，初步
SPM4007010
双MOSFET桥，闸极驱动器
描述： 100伏， 7.5 AMP ，双MOSFET桥
驱动7.5A峰值100V的高密度双H桥capabable 。这个小
足迹双桥包含低导通电阻功率FET ， FET驱动器和精密
电流检测reistors 。该设备不需要散热，并装在一个
封装密封外壳。该驱动器的输入信号是TTL compatable 。
PER MOSFET器件电气特性
(Tj=25
0
C除非另有说明）
符号
民
典型值
最大
单位
参数
MOSFET规格（每设备）
漏极至源极击穿电压
BV
DSS
100
-
-
V
连续的漏电流
T
C
= 25
O
C
T
C
= 100
O
C
I
D
-
-
7.5
4.8
A
漏电流脉冲，脉冲宽度限制为1毫秒
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V牛逼
i
=25 C
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0V牛逼
i
=125 C
静态漏 - 源极导通电阻，
I
D
= 7.5A ，V
GS
= 10V,
最大热阻
T
j
= 25
O
C
T
j
= 150
O
C
o
o
I
DM
I
CSS
-
-
-
-
50
A
1
250
R
DSON
-
0.019
0.035
R
θJC
T
JMAX
T
JMAX
tr
tf
-
-
0.023
.043
35
o
uA
uA
Ω
C / W
o
最大工作结温
-40
-
150
C
最大存储结温
上升时间
下降时间
-55
-
30
30
150
o
C
ns
ns
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