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    FDBL0110N60

     N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，300A，1.1mΩ
    开关晶体管
    0 ONSEMI

    PMX100UNE

     20 V, N-channel Trench MOSFETProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GRT1555C1H360JA02#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GC331CD72W473KX03#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM188R71E512KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM32E5C3A183JX0A#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0334C2A1R9CA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    RB088T150NZ

     RB088T150NZ是面向开关电源的超低IR肖特基势垒二极管。
    开关二极管
    0 ROHM

    GRM319R71H274KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    BSZ070N08LS5

     英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
    开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
    0 INFINEON

    GQM1555C2D1R6CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM21BR71E823JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM188R11H361JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    74AUP1G58L6X

     双输入、低功耗、通用可配置逻辑门
    暂无信息
    0 ONSEMI

    F4-100R12KS4

     EconoPACK™ 3 1200V 四单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测
    局域网开关双极性晶体管
    0 INFINEON

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