5.可靠性测试
项
寿命试验
高温
操作
低温
操作
热冲击
耐焊
热
ESD
（人体模型）
高温
存储
低温
存储
温湿度
存储
温湿度
操作
条件
T
a
= RT ，
I
F
= 30毫安
T
a
= 85ºC,
I
F
= 8毫安
T
a
= -30ºC,
I
F
= 20mA下
T
a
= -40°C （ 30分钟） 〜 100º （ 30分钟）
（传送时间： 5秒，回循环= 1小时）
T
s
= 255
±
5ºC,
t
= 10秒
千伏， 1.5kΩ上; 100pF的
T
a
= 100ºC
T
a
= -40ºC
T
a
= 85ºC,
RH
= 85%
T
a
= 85ºC,
RH
= 85%
I
F
= 8毫安
记
1000hrs
1000hrs
1000hrs
100cycles
1次
1次
1000hrs
1000hrs
1000hrs
100hrs
失败
0/22
0/22
0/22
0/50
0/22
0/22
0/22
0/22
0/22
0/22
<判断标准的可靠性试验>
V
F
I
R
I
V
注意事项： 1， USL ：上标准水平
USL
1
X
1.2
USL
X
2.0
LSL
2
X
0.5
2. LSL ：低标准的水平。
<060712>修订版0.1
LB770D
首尔半导体CO 。 ， LTD 。
148-29 ，喀山东， Keumchun谷，汉城
电话： 82-2-3281-6269传真： 82-2-857-5430
-5-
SEOUL [ Seoul Semiconductor ]
