应用笔记
驱动容性负载
该SGM2324可以直接在单位增益驱动250pF无
振荡。单位增益跟随器（缓冲）是最敏感的
配置到电容性负载。直接容性负载
减小放大器的相位余量，这导致振铃
甚至振荡。这需要更大的电容的应用
驱动能力应该使用之间的隔离电阻
输出和容性负载像电路在图1中
隔离电阻R
ISO
和负载电容C
L
形成一个零到
增加稳定性。更大的第r
ISO
电阻值越
稳定的V
OUT
会。注意，此方法会导致增益的损失
精度，因为ř
ISO
形成了一个分压器的R
负载
.
电源旁路和布局
该SGM2324采用+ 3V至+ 5.5V电源供电或
双± 1.5V至± 2.75V电源。对于单电源供电，
绕过电源V
DD
用一个0.1μF的陶瓷电容
这应该放在靠近V
DD
引脚。对于双电源
操作时，都在V
DD
和V
SS
供应量应
旁路到地，独立0.1μF的陶瓷电容。
2.2μF的钽电容可以实现更好的性能增加。
V
DD
V
DD
10µF
10µF
0.1µF
0.1µF
R
ISO
¼
SGM2324
V
IN
C
L
V
OUT
Vn
Vn
¼
SGM2324
Vp
V
OUT
¼
SGM2324
Vp
10µF
V
OUT
图1.间接驱动高容性负载
的改进电路示于图2中，它提供了直流
准确性以及交流稳定性。 ř
F
提供了DC精度由
的反相信号与输出，C连接
F
和R
ISO
服务
通过喂食高，以抵消相位裕度的损失
输出信号的频率分量反馈回放大器的
反相输入端，从而保持相位裕度，在整体
反馈回路。
V
SS
（GND）的
0.1µF
V
SS
图3.放大器旁路电容
C
F
R
F
R
ISO
¼
SGM2324
V
IN
C
L
R
L
V
OUT
图2.间接驱动高容性负载与DC
准确性
对于没有缓冲结构中，有两个其他的方法来
（一）通过增大放大器的增益：增加相位裕度
或（b）通过将电容并联反馈电阻
以抵消与倒相关联的寄生电容
节点。
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SGM2324
SGMICRO [ Shengbang Microelectronics Co, Ltd ]
