封装/订购信息
模型
订单号
SGM2324YS/TR
SGM2324
SGM2324YTS/TR
SGM2324YS14/TR
SGM2324YTS14/TR
包
描述
SO-16
TSSOP-16
SO-14
TSSOP-14
包
选项
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
记号
信息
SGM2324YS
SGM2324YTS
SGM2324YS14
SGM2324YTS14
绝对最大额定值
电源电压，V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃至+ 150 ℃
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160 ℃
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ℃ 〜+ 85 ℃
封装热阻@ T
A
= 25
℃
SO-16,
θ
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
℃
/W
TSSOP-16,
θ
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260℃
ESD敏感性
HBM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4000V
MM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。 SG
微电子建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。
如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;该装置的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
3
SGM2324
SGMICRO [ Shengbang Microelectronics Co, Ltd ]
