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SGM8052XMS 参数 Datasheet PDF下载

SGM8052XMS图片预览
型号: SGM8052XMS
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内容描述: 250MHz轨至轨输出CMOS运算放大器 [250MHz, Rail-to-Rail Output CMOS Operational Amplifier]
分类和应用: 运算放大器
文件页数/大小: 20 页 / 758 K
品牌: SGMICRO [ Shengbang Microelectronics Co, Ltd ]
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封装/订购信息
模型
SGM8051
SGM8052
SGM8053
通道
单身
单身
具有关断功能
订单号
SGM8051XN5/TR
SGM8051XS/TR
SGM8052XMS/TR
SGM8052XS/TR
SGM8053XN6/TR
SGM8053XS/TR
SGM8054XS14
SGM8054XTS14
SGM8054XS/TR
SGM8054XTS
SGM8055
具有关断功能
SGM8055XMS/TR
描述
SOT23-5
SO-8
MSOP-8
SO-8
SOT23-6
SO-8
SO-14
TSSOP-14
SO-16
TSSOP-16
MSOP-10
选项
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
管, 50
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 3000
记号
信息
8051
SGM8051XS
SGM8052XMS
SGM8052XS
8053
SGM8053XS
SGM8054XS14
SGM8054XTS14
SGM8054XS
SGM8054XTS
SGM8055XMS
SGM8054
绝对最大额定值
电源电压,V +至V- ......................................... 7.5 V
共模输入电压
........................................ (–V
S
) - 0.5 V至( + V
S
) +0.5V
存储温度范围................ -65 ℃至+ 150 ℃
连接点
温度................................................. ............. 160 ℃
工作温度范围........... -55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SOT23-5,
θ
JA
......................................................... 190
/W
SOT23-6,
θ
JA
......................................................... 190
/W
SO-8,
θ
JA
..................................................................125
/W
MSOP-8,
θ
JA
.......................................................... 216
/W
MSOP-10,
θ
JA
........................................................ 216
/W
SO-16,
θ
JA
................................................................ 82
/W
TSSOP-16,
θ
JA
....................................................... 105
/W
铅温度范围(焊接10秒)
......................................... 260℃
ESD敏感性
HBM...........................................................................1000V
MM...............................................................................400V
笔记
1 ,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降,完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化
可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
SGM8051/2/3/4/5