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SGM8623XS 参数 Datasheet PDF下载

SGM8623XS图片预览
型号: SGM8623XS
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内容描述: 250レA,为3MHz ,轨到轨输入/输出CMOS运算放大器 [250レA, 3MHz, Rail-to-Rail I/O CMOS Operational Amplifier]
分类和应用: 运算放大器
文件页数/大小: 18 页 / 662 K
品牌: SGMICRO [ Shengbang Microelectronics Co, Ltd ]
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封装/订购信息
模型
订单
SGM8621XC5/TR
SGM8621
SGM8621XN5/TR
SGM8621XS/TR
SGM8622
SGM8623
SGM8624
SGM8622XMS/TR
SGM8622XS/TR
SGM8623XN6/TR
SGM8623XS/TR
SGM8624XS/TR
SGM8624XTS
描述
SC70-5
SOT23-5
SO-8
MSOP-8
SO-8
SOT23-6
SO-8
SO-16
TSSOP-16
选项
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 3000
记号
信息
8621
8621
SGM8621XS
SGM8622XMS
SGM8622XS
8623
SGM8623XS
SGM8624XS
SGM8624XTS
绝对最大额定值
电源电压,V +至V- 。
...........................................
7.5 V
共模输入电压
....................................
(–V
S
) - 0.5 V至( + V
S
) +0.5V
存储温度范围
.....................
-65 °至+ 150 °
结温
.................................................
160℃
工作温度范围
.................
-55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SC70-5,
θ
JA
............................
.................
................... 333
/W
SOT23-5,
θ
JA
........................
......
................................ 190
/W
SOT23-6,
θ
JA
..........
.................
................................... 190
/W
SO-8,
θ
JA
.............................
.....
....................................125
/W
MSOP-8,
θ
JA
..............
.....
........................................... 216
/W
SO-16,
θ
JA
...................
.......
........................................... 82
/W
TSSOP-16,
θ
JA
................
......
...................................... 105
/W
铅温度范围(焊接10秒)
.....................................................
260℃
ESD敏感性
HBM ............................................
.....
...............................1500V
MM...............................
.................
....................................400V
笔记
1 ,超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;该装置的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降,完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
SGM8621 / 2 /3/4