应用笔记
驱动容性负载
该SGM863x可以直接在单位增益驱动1000pF的无
振荡。单位增益跟随器（缓冲）是最敏感的
配置到电容性负载。直接容性负载
减小放大器的相位裕量和此结果
振铃，甚至振荡。这需要更大的应用
电容驱动能力应该使用一个隔离电阻
输出和容性负载像中的电路之间
图1中的隔离电阻器R
ISO
和负载电容C
L
形成零点，以增加稳定性。更大的第r
ISO
电阻器
值，更稳定的V
OUT
会。注意，此方法
结果在增益精度损失，因为ř
ISO
形成一个电压
除法的R
负载
.
电源旁路和布局
该SGM863x家庭工作，无论是从单一的+ 2.5V至
+ 5.5V电源或双± 1.25V至± 2.75V电源。为
单电源供电，旁路电源V
DD
与一位
0.1μF的陶瓷电容应放置在靠近
V
DD
引脚。对于双电源供电，无论是V
DD
和V
SS
电源应旁路至地设有独立的0.1μF
陶瓷电容。 2.2μF的钽电容可以加
更好的性能。
良好的PCB布局技术，以优化性能
在运放的减少杂散电容的量
输入和输出。以减小寄生电容，最小化
通过将外部元件的走线长度和宽度
靠近器件成为可能。采用表面贴装
部件只要有可能。
对于运算放大器，焊接部分的板
直接强烈推荐。尽量保持高
高频大电流环路面积小，以减少EMI
（电磁接口） 。
R
ISO
SGM8631
V
OUT
C
L
V
IN
V
DD
图1.间接驱动高容性负载
的改进电路示于图2中提供的直流
准确性以及交流稳定性。 ř
F
提供了DC精度
通过与输出连接的反相信号。 ç
F
和R
ISO
服务通过喂食来抵消相位裕度的损失
的输出信号的高频分量返回到
放大器的反相输入端，从而保持相位裕度在
整体的反馈环。
10µF
0.1µF
V
DD
10µF
0.1µF
Vn
V
OUT
10µF
Vn
SGM8631
V
OUT
SGM8631
Vp
Vp
C
F
R
F
R
ISO
SGM8631
V
SS
（GND）的
0.1µF
V
OUT
C
L
R
L
V
SS
图3.放大器旁路电容
V
IN
图2.间接驱动高容性负载与DC
准确性
对于没有缓冲结构中，有两个其他的方法来
（一）通过增大放大器的：增加相位裕度
增益或（b）通过将电容并联的反馈
电阻器，以抵消与相关联的寄生电容
反转节点。
接地
地平面层是SGM863x电路的设计十分重要。
当前路径速度电流的电感性的长度
接地回路会产生不必要的电压噪声。广
接地平面的区域会减少寄生电感。
输入 - 输出耦合
以最小化电容耦合，将输入和输出信号
走线不平行。这有助于减少无用
积极的反馈。
９
SGM8631/2/3/4
SGMICRO [ Shengbang Microelectronics Co, Ltd ]
