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    GP1S58VJ000F 参数 Datasheet PDF下载

    GP1S58VJ000F图片预览
    型号： GP1S58VJ000F
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    内容描述： 差距：5毫米，缝度：0.5mm光电晶体管输出，外壳封装透射光斩波器 [Gap : 5mm, Slit : 0.5mm Phototransistor Output, Case package Transmissive Photointerrupter]
    分类和应用： 晶体光电晶体管光电晶体管斩波器
    文件页数/大小： 12 页 / 179 K
    品牌： SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
     浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第9页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号GP1S58VJ000F的Datasheet PDF文件第12页  
    GP1S58VJ000F
    ■
    设计注意事项
    ●
    设计指南
    1 ）防止检测误差的
    为了防止光断续器从外部光线所造成的错误操作，不设置检测脸
    外部光。
    不透明板2 ）位置
    不透明的董事会应在的地方在4mm以上的元素的顶部安装。
    （例）
    在4mm以上
    该产品并没有设计针对照射，并采用非相干IRED 。
    ●
    降解
    在一般情况下，红外发光二极管的光电耦合器使用的发光会随时间降解。
    在长期运行的情况下，请以一般IRED下降（ 50 ％比下降5
    年）到设计中的考虑因素。
    ●
    零件
    此产品是使用下面的部分组装而成。
    •光电探测器（数量： 1 ）
    类别
    PHOTOTRANSISTOR
    材料
    硅（Si ）
    最高灵敏度
    波长（nm ）
    800
    灵敏度
    波长（nm ）
    400〜 1 200
    响应时间（微秒）
    3
    •光发射器（数量： 1 ）
    类别
    红外发光二极管
    （非相干）
    材料
    砷化镓（GaAs ）
    最大发光
    波长（nm ）
    950
    I / O频率（MHz ）
    0.3
    •材料
    例
    黑色的Noryl树脂
    引线框架电镀
    浸焊。 （SN - 3AG - 0.5Cu的）
    表号： D2- A02702EN
    8

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