SHARP
LHF08CH1
4
个别块锁定使用位的组合，
16块锁定位和主锁位，可锁定
和解锁块。块锁定位闸块擦除
和字节写操作，而主锁位
门
块
锁位
修改。
锁位
配置操作（设置块锁定位，设置
玛斯特锁位，并清除块锁定位
命令）设置和清除锁定位。
状态寄存器指示时， WSM的块
擦除，字节写入或锁定位配置操作
科幻nished 。
该RY / BY ＃输出提供了一个额外指标
通过同时提供硬件信号WSM活动
状态（相对于软件轮询）和屏蔽状态
（中断为背景的块擦除掩蔽，为
例子）。用RY / BY ＃最小化状态轮询
两个CPU开销和系统的功耗。
当低， RY / BY ＃指示WSM是
执行块擦除，字节写入或锁定位
配置。 RY / BY ＃ - 高表示该WSM是
准备好一个新的指令，块擦除暂停
（和字节写操作是无效的） ，字节写入暂停，
或设备处于深度掉电模式。
访问时间为85ns （T
AVQV
）在商用
温度范围（ 0℃〜 + 70℃ ）和V
CC
供应
电压范围4.75V - 5.25V的。在较低的V
CC
电压，
访问时间为90ns是（ 4.5V - 5.5V ） ， 120ns的
（ 3.0V - 3.6V ），并为150ns （ 2.7V - 3.6V ） 。
自动省电（ APS ）功能
实质上降低有功电流时，该设备
在静态模式（地址不切换） 。在APS
模式，典型的我
CCR
电流为5V V 1毫安
CC
.
当CE ＃和RP ＃引脚在V
CC
中，我
CC
CMOS
待机模式下被启用。当RP ＃引脚为
GND ，深度掉电模式启用该
最大限度地减少功耗，并提供写
复位时的保护。复位时间（t
PHQV
）是
从RP ＃转换为高电平，直到输出要求
有效的。同样地，该装置具有一个唤醒时间（t
PHEL
)
从RP ＃ - 高，直到写入到崔的认可。
随着RP ＃在GND时， WSM复位和状态
寄存器清零。
该器件采用40引脚TSOP （薄型小可用
外形封装，1.2毫米厚） 。引脚排列如图
图2中。
修订版1.3
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
