LH28F160SGED-L10
LH28F160SGED-L10
描述
该LH28F160SGED -L10双工作闪存
与SmartVoltage技术是一种高密度，
低成本，非易失性的，对于读/写的存储解决方案
了广泛的应用。该LH28F160SGED-
L10是最高密度，最高性能
对于固态非易失性读/写溶液
存储的应用程序。 LH28F160SGED -L10可以
读/写/擦除在V
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.
它的低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
其对称封闭架构，灵活的
电压和增强的循环能力提供
适用于居民闪存高度灵活的组件
数组的SIMM和存储卡。其增强
暂停功能，提供了一个理想的解决方案
代码+数据存储应用。对于安全码
存储的应用程序，例如网络，其中
代码可以直接执行出闪光或
下载到DRAM中， LH28F160SGED -L10
提供了三个级别的保护：绝对保护
随着V
PP
在GND ，选择硬件模块锁定，
或灵活的软件模块锁定。这些替代方案
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
16 M位（ 512 KB ×16× 2行）
SmartVoltage工作双闪存
•增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
•增强的数据保护功能
•绝对保护与V
PP
= GND
- 灵活的块锁定
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
• SRAM兼容的写入接口
•高密度对称封闭的体系结构
- 三十二个32 K-字擦除块
•增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
- 160万的块擦除周期/银行
•低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，减少电流Icc
在静态模式
•自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
•状态寄存器
• ETOX
TM
∗
V非易失性闪存技术
•包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲
∗
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
特点
• SmartVoltage双功科技
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
- 能够进行擦除，写入和读取
对于每个独立的银行（不可能
从两家银行同时进行读取） 。
•高性能读取访问时间
- 100 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
120纳秒（2.7〜 3.6 V ）
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
