LH28F320S3TD-L10
LH28F320S3TD-L10
描述
该LH28F320S3TD -L10双工作闪存
使用智能3技术是一种高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围，具有高的编程
性能是通过高度优化的实现
页面缓存操作。其对称受阻
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适用于居民闪存阵列， SIMM模组和
存储卡。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F320S3TD -L10提供了三个层次的
保护功能：具有V绝对保障
PP
在GND ，
选择硬件模块的锁定，或者灵活
软件块锁定。这些替代品给
其代码的安全性设计的最终控制权
需要。 LH28F320S3TD -L10是符合的
闪存可扩展指令集（ SCS）和
通用闪存接口（ CFI）规范，
让通用和可升级的接口，使
最高的系统/设备的数据传输速率和
最大限度地减少设备和系统级实现
成本。
32 M位（ 2 MB X 8/1 MB ×16× 2行）
3智能双工作闪存
•可扩展指令集（ SCS ）
•高性能读取访问时间
- 100 ns的（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7〜 3.6 V ）
•增强的自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
•增强的数据保护功能
•绝对保护与V
PP
= GND
- 灵活的块锁定
- 在电源转换擦除/写入锁定
• SRAM兼容的写入接口
•用户可配置x8或x16操作
•高密度对称封闭的体系结构
- 六十四的64K字节可擦除块
•增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
- 320万的块擦除周期/银行
•低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，减少电流Icc
在静态模式
•自动写入和擦除
- 命令的用户界面
•状态寄存器
• ETOX
TM
∗
V非易失性闪存技术
•包
- 56引脚TSOP I型（ TSOP056 -P - 1420 ）
正常的弯曲
∗
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
特点
•智能3双功技术
- 2.7 V或3.3 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
PP
- 能够进行擦除，写入和读取
对于每个独立的银行（不可能
从两家银行同时进行读取） 。
•高速写入性能
- 两个32字节的页缓冲器/银行
- 2.7微秒/字节写入传输速率
??通用闪存接口（ CFI ）
- 通用&升级界面
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SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
