SHARP
LHF32JO2
表1.引脚说明
名称和功能
地址输入：在输入读地址和写操作。地址是
在写周期内锁定。
A- T：更低的地址输入，而BYTE ＃为V ,, 。 A-，脚改变DQ ，J引脚而BYTE ＃为V ,, 。
A， J- A20 ：主块地址。
A， 1 - A20 ：引导和参数块地址。
数据输入/输出：输入数据和命令在崔写周期：数据输出
存储阵列时，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮到高
阻抗当芯片被取消或输出被禁止。数据是在一个内部锁存
写周期。 DQ * -DQtj引脚不使用，而字节模式（ BYTE ＃ = V ， ） 。
然后。 DQtj销
改变A- ，地址输入。
CHIP ENABLE ：激活设备的控制逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器。
CE＃ - 高deselectsthe设备和降低功耗待机水平。
RESET ：复位器件内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动
低， RP ＃禁止写操作过程中其电源转换提供数据保护。出口
在复位模式设置设备来读取阵列模式。 RP ＃必须是V，在上电期间。
OUTPUT ENABLE ：盖茨设备的输出在读周期。
写使能：控制写入崔和阵列模块。地址和数据锁存
在WE ＃ uulse的risine边缘
写入保护功能：当WP ＃为V ,.引导块不能被写或擦除。当WP＃为
V i，锁定引导块不能被写或擦除。 WP＃不受影响参数和主
块。
字节使能： BYTE ＃ V，场所设备，以字节形式的（x8） 。所有数据被输入或输出上
DQ ,, 。和DQs- ，J浮动。 BYTE ＃ V ,,放置在字模式（ ×16 ）的设备，并关闭在
输入缓冲器。
READY / BUSY ＃ ：指示内部WSM的状态。当低， WSM的执行
内部操作（块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位配置） 。
RY / BY ＃ - 高Z为使WSM等待新的命令。块擦除暂停。
和字/字节写是无效的，字/字节写操作被暂停，或者设备处于复位状态。
块擦除整片擦除，字/字节写入或锁定位
CON组fi guration
电源：擦除阵列块。写字/字节或
配置锁定位。随着VCCWIVCCWLK 。存储器的内容不能被改变。块擦除，全
芯片擦除。字/字节写和锁定位配置与无效Vccw （见6.2.3 DC
特性）产生虚假的结果，不应试图。采用+ 12V至O.3V
在擦除/写入Vccw只能最多为1000个循环，每个块上进行。 Vccw
可以连接到12V&.3V总共最多80小时。
器件电源：不要任何浮动电源引脚。随着V ,,四,,,,
所有的写操作的尝试
闪速存储器被抑制。在无效的V器件的操作,,电压（见6.2.3 DC
特性）产生虚假的结果，不应试图。
地面：不要任何浮动接地引脚。
符号
TYW
输入
A-1
A,-*20
1
DQ ， -DQ ,,
输入/
产量
CE＃
RP ＃
OE ＃
WE＃
WI ％
输入
输入
输入
输入
输入
BYL -E ＃
输入
开放
漏
产量
RY / BY ＃
VccW
供应
VCC
GND
供应
供应
修订版1.25
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
