LH28F800SG -L / SGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800SG-L/SGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
描述
与LH28F800SG -L / SGH -L快闪记忆体
SmartVoltage技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F800SG -L / SGH -L
可以在V操作
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.他们
低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
其对称封闭架构，灵活的
电压和增强的循环能力提供
适用于居民闪存高度灵活的组件
数组的SIMM和存储卡。其增强
暂停功能，提供了一个理想的解决方案
代码+数据存储应用。对于安全码
存储的应用程序，例如网络，其中
代码可以直接执行出闪光或
下载到DRAM中，所述LH28F800SG -L / SGH -L-
提供三种级别的保护：绝对保护
随着V
PP
在GND ，选择硬件模块锁定，
或灵活的软件模块locking.These替代品
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
8 M位（ 512 KB ×16 ） SmartVoltage
闪存
特点
• SmartVoltage技术
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
•高性能读取访问时间
LH28F800SG-L70/SGH-L70
- 70纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 80纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ） /
85纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） / 100纳秒（2.7〜 3.0 V）
LH28F800SG-L10/SGH-L10
- 100 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
120纳秒（2.7〜 3.0 V）
•增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
•增强的数据保护功能
•绝对保护与V
PP
= GND
- 灵活的块锁定
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
• SRAM兼容的写入接口
•高密度对称封闭的体系结构
- 16个32 K-字擦除块
•增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
- 160万的块擦除周期/片
•低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
•自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
•状态寄存器
• ETOX
TM
∗
V非易失性闪存技术
•包
- 48引脚TSOP TypeI （ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0808 ）
∗
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
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SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
