LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L/BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
描述
与LH28F800BG -L / BGH -L快闪记忆体
SmartVoltage技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F800BG -L / BGH -L
可以在V操作
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.他们
低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
他们的引导，参数和主封锁
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适合于便携式终端和个人
计算机。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F800BG -L / BGH -L提供两种级别的保护
：与V绝对保护
PP
在GND ，选择性
硬件引导块锁定。这些替代方案
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
8 M位（ 512 KB ×16 ） SmartVoltage
闪存
特点
• SmartVoltage技术
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
•高性能读取访问时间
LH28F800BG-L85/BGH-L85
- 85纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 90纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ） /
100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7〜 3.6 V ）
LH28F800BG-L12/BGH-L12
- 120 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 130纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
150纳秒（2.7〜 3.6 V ）
•增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
•增强的数据保护功能
•绝对保护与V
PP
= GND
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
- 与WP ＃引导块保护= V
IL
• SRAM兼容的写入接口
•优化的阵列架构堵
- 两个4K的字引导块
- 六4 K-字参数块
- 十五32 K-字主要模块
- 顶部或底部启动位置
•增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
•低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
•自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
•状态寄存器
• ETOX
TM
∗
V非易失性闪存技术
•包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0808 ）
∗
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
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SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
