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LH28F800BGHE-BL85 参数 Datasheet PDF下载

LH28F800BGHE-BL85图片预览
型号: LH28F800BGHE-BL85
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内容描述: 8 M位( 512 KB ×16 ) SmartVoltage闪存产品 [8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 274 K
品牌: SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
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LH28F800BG -L / BGH -L ( FOR TSOP , CSP )
表3命令定义
(注7 )
总线周期
第一总线周期
第二个总线周期
(注1 )
ADDR
(注2 )
数据
(注3)
OPER
(注1 )
ADDR
(注2 )
数据
(注3)
REQ
D.
OPER
1
2
2
1
2
2
1
1
5
5, 6
5
5
4
X
X
X
X
BA
WA
X
X
FFH
90H
70H
50H
20H
40H或10H
B0H
D0H
IA
X
BA
WA
ID
SRD
D0H
WD
命令
读阵列/复位
读取识别码
读状态寄存器
清除状态寄存器
块擦除
字写
块擦除和
字写暂停
块擦除和
字写简历
注意事项:
1.
2.
总线操作的定义
表2中。
X =设备内的任何有效地址。
IA =标识代码地址:见
图。 2 。
块内的BA =地址被删除。
要写入WA =地址的存储位置。
从状态寄存器中读取SRD =数据。看
表6
的状态寄存器中的位的描述。
WD =要写入的数据在位置WA 。数据被锁存
在WE#或CE #的上升沿(取
进入高一) 。
ID =数据从识别码读取。
继读标识符代码指令,读取
操作访问制造和设备代码。看
第4.2节
对于读取识别码数据。
5.
如果块是引导块, WP #必须在V
IH
或者RP #
必须是在V
HH
使块擦除或写入字
操作。试图发出一个块的擦除或写入字
为引导块,而WP #为V
IH
或者RP #为V
IH
.
无论是40H或10H由WSM作为识别
字写的设置。
命令比上述其它被保留
夏普为今后设备的实现和应
不能被使用。
6.
7.
3.
4.
- 11 -