LH5496/96H
CMOS 512
×
9 FIFO
内部读写地址指针main-
通过该装置，使得连续的读操作tained
系统蒸发散将访问的数据以相同的顺序，因为它是写。
空标志位被置位（ EF = LOW）的下跌后
的R边它访问的最后一个可用的数据中
FIFO存储器。 EF无效（ EF = HIGH ）后
W¯¯负载的下一个上升沿有效数据的另一个词。
数据流通
阅读流通模式发生时，读（r ）
引脚被拉低，而FIFO是空的，并召开
低在预期的一个写周期。在接下来的结束
写周期，空标志将被暂时被拉高
牢固插入，刚写入的数据会在可用
数据输出引脚之后吨的最大时间
世界经济论坛
+ t
A
.
而第r引脚保持为低电平，可能会出现额外的写操作，
但是，从第一次写入唯一的数据流过的
输出。附加数据，如果有的话，只能通过访问
肘R.
写流通模式时发生写（ W）的
引脚被拉低，而FIFO满，并保持低
在期待一个读周期。在读周期结束时，
全旗将被暂时拉高，但随后
立即重申响应为W保持低电平。数据
被写入到FIFO上W的上升沿其可以
出现吨
RFF
+ t
预激
后读出。
重发
该FIFO可重新读取以前读取数据
通过重传功能。重发被启动
RT脉冲低电平。这将重置内部读地址
指针到第一物理位置中，而存储器
离开内部写地址指针保持不变。
的读写指针之间的数据可以是电抗
通过cessed后续读取。两个R和W必须是
无效（高），重发脉冲期间。重发
如果不超过512个写操作被执行是有用BE-
吐温复位。重发可能会影响EF ，HF的状态，
和FF标志，根据读取的搬迁
指针。此功能在深度拓展提供
模式。
操作说明
RESET
器件复位时复位引脚（ RS ）是
带到一个低状态。在复位操作初始化都
读出和写入地址指针到第一存储器
位置。在XI和FL引脚也采样，此时
以确定设备是否处于单模式或
深度扩展模式。复位脉冲时，需要
该设备第一次上电。在读（r ）和写
（W）的销可处于任何状态时启动的复位，但
必须变为高电平状态吨
乡郊小工程
和T
预激
前
RS的上升沿。复位操作强制
空标志EF被断言（ EF = LOW ） ，以及
半满标志HF和满标志FF被拉高
（ HF = FF = HIGH） ;数据输出引脚（D
0
– D
8
）被强制
成高阻抗状态。
写
写周期上写的下降沿启动
（W）的引脚。数据建立时间和保持时间必须观察
中的数据（D
0
– D
8
）引脚。写操作是唯一可能
如果FIFO没有满， （即满标志引脚为高电平） 。写
可以独立发生的任何正在进行读operta-
系统蒸发散。
在第一次写入的下降沿之后的存储器是
半填，半满标志将被置（ HF = LOW ）
并且将一直保持到之间的区别
写指针和读指针指示剩余的
在该装置的数据小于或等于二分之一的总
FIFO的容量。半满标志无效
（HF =高）由R的相应上升沿
全旗有效（ FF = LOW）的下降沿
其填满了最后一个可用位置的写操作
在FIFO存储器阵列。全旗将进一步抑制
写，直到被有效读取清除。全标志是
无效（ FF = HIGH）在R之后的下一个上升沿
释放另一个存储位置。
读
一个读周期在读的下降沿启动
（R）的针。读取数据变得对数据进行有效的（Q
0
–Q
8
)
经过时间t销
A
从R的下降沿R会经过
高电平时，数据输出引脚返回到一个高阻抗状态。
读出可能会出现独立于任何正在进行的写
操作。读是唯一可能的，如果FIFO不为空
（ EF =高） 。
6
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
