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LH5P860N-80 参数 Datasheet PDF下载

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型号: LH5P860N-80
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内容描述: CMOS 512K ( 64K ×8 )伪静态RAM [CMOS 512K (64K x 8) Pseudo-Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 13 页 / 110 K
品牌: SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
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LH5P860
特点
65,536
×
8位组织
访问时间: 80纳秒( MAX 。 )
周期时间: 140纳秒( MIN 。 )
采用+5 V单电源
针用1M的标准SRAM兼容
功耗(最大) :
操作: 440毫瓦
自刷新( TTL电平) : 5.5毫瓦
自刷新( CMOS电平) : 2.75毫瓦
TTL兼容的I / O
512刷新周期/ 8毫秒(MAX 。 )
可用于自动刷新和自刷新
模式
包:
32针, 600密耳DIP
32针, 525密耳的SOP
CMOS 512K ( 64K
×
8 )伪静态RAM
描述
该LH5P860是512K位的伪静态RAM或 -
ganized为65,536
×
8位。它是使用sili-制造
CON-栅CMOS工艺技术。凭借其内置的
振荡器,它很容易刷新存储器没有
外部时钟。
引脚连接
32引脚DIP
32引脚SOP
RFSH
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
读/写
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
5P860-1
顶视图
对于DIP图1.引脚连接和
SOP封装
1