LRS1331
数据表
特点
•闪存和SRAM
•堆叠芯片芯片级封装
• 72球8毫米× 11毫米CSP封装胶
•电源： 2.7 V至3.6 V
•工作温度：-25 ° C至+ 85°C
•闪存
- 访问时间（最大） ： 90纳秒
- 工作电流（最大值）
（目前的F- V
CC
引脚和F -V
CCW
针） ：
- 阅读： 25毫安（T
周期
= 200纳秒）
- 字写： 57毫安
- 块擦除： 42毫安
- 待机电流（目前为F- V
CC
针） ： 15 μA
（ MAX F- RP
≤
GND ± 0.2 V ）
•优化的阵列架构堵
- 两个4K字引导块
- 六4K字的参数块
堆叠晶片
16M闪存和SRAM 4M
- 三十一32K字的主要模块
- 底部启动位置
- 扩展循环能力
- 100000块擦除周期
•增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
• SRAM
- 访问时间（最大） ： 85纳秒
- 工作电流： 45毫安（ MAX 。 ）
- 待机电流： 15 μA （ MAX 。 ）
- 数据保持电流： 2 μA （MAX 。 ）
描述
该LRS1331是组合存储组织成
1048576 × 16位的闪速存储器和262144 × 16位
静态RAM在一个封装中。
引脚配置
72球FBGA
指数
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
2
NC
3
NC
A
16
4
A
11
A
8
5
A
15
A
10
T
1
T
2
6
A
14
A
9
7
A
13
8
A
12
9
F- GND
10
NC
DQ
7
DQ
5
11
NC
12
NC
DQ
15
S- WE
DQ
14
DQ
6
DQ
4
F- WE F- RY /
BY
S-A
17
DQ
13
T
4
GND F- RP
F- WP
DQ
12
S-CE
2
S-V
CC
F- V
CC
T
3
DQ
9
DQ
10
DQ
2
DQ
8
DQ
0
DQ
3
DQ
1
F- V
PP
F- á
19
DQ
11
NC
S- LB S- UB
S- OE
F- á
18
NC
NC
F- á
17
A
5
A
7
A
4
A
6
A
0
A
3
A
2
A
1
S-CE
1
NC
NC
NC
F- CE F- GND F- OE
注意：
所有的F - GND和S- GND引脚连接在电路板上。
两个NC引脚在拐角处相连。
LRS1331-1
图1. LRS1331引脚配置
数据表
1
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
