LRS1341/LRS1342
数据表
特点
•闪存和SRAM
•堆叠芯片芯片级封装
• 72球CSP （ FBGA072 -P - 0811 ）塑料封装
•电源： 2.7 V至3.6 V
•工作温度：-25 ° C至+ 85°C
•闪存
- 访问时间（最大） ： 100纳秒
- 工作电流（最大值） ：
目前的F- V
CC
针
- 阅读： 25毫安（T
周期
= 200纳秒）
- 字写： 17毫安
- 块擦除： 17毫安
- 深度掉电电流（电流
F- V
CC
针） ：10 μA （ MAX F- CE
≥
F- V
CC
- 0.2 V,
F- RP
≤
-0.2 V，F -V
PP
≤
0.2 V)
•优化的阵列架构堵
- 两个4K字引导块
- 六4K字的参数块
堆叠晶片
16M闪存和SRAM 2M
- 三十一32K字的主要模块
- 顶部/底部启动位置版本
- 扩展循环能力
- 100000块擦除周期
•增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
• SRAM
- 访问时间（最大） ： 85纳秒
- 工作电流（最大值） ：
= 45毫安
- 8毫安（T
RC
, t
WC
= 1 µs)
- 待机电流： 45 μA （ MAX 。 ）
- 数据保持电流： 35 μA （ MAX 。 ）
描述
该LRS1341 / LRS1342是一个组合存储
组织为1048576 × 16位的闪速存储器和
131,072 × 16位静态RAM在一个封装中。
引脚配置
72球FBGA
指数
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
2
NC
3
NC
A
16
F- WE
4
A
11
A
8
F- RY /
BY
5
A
15
A
10
T
1
T
2
6
A
14
A
9
T
3
T
4
7
A
13
8
A
12
9
GND
10
NC
DQ
7
DQ
5
11
NC
12
NC
DQ
15
S- WE
DQ
14
DQ
13
DQ
6
DQ
4
GND
F- WP
F- RP
DQ
12
S-CE
2
S-V
CC
F- V
CC
T
5
DQ
9
DQ
10
DQ
2
DQ
8
DQ
0
DQ
3
DQ
1
F- V
PP
F- á
19
DQ
11
NC
S- LB S- UB
S- OE
F- á
18
NC
NC
F- á
17
A
5
A
7
A
4
A
6
A
0
A
3
F- CE
A
2
A
1
S-CE
1
NC
NC
NC
GND F- OE
注意：
两个NC引脚在拐角处相连。
LRS1342-1
图1. LRS1341 / LRS1342引脚配置
数据表
1
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
