芯片LED器件
LT1t53A系列
LT1t53A系列
s
外形尺寸
(单位:毫米)
3.3 ! 2.9毫米, 1.1毫米厚度,
银河扩散芯片LED器件
s
辐射方向图
(T
a
=25˚C)
3.3
银河扩散
-30˚
-40˚
-20˚
-10˚
0˚ 100 +10˚
100
+20˚
+30˚
+40˚
-50˚
相对发光强度(%)
80
+50˚
60
2.9
1.9
0.4
0.4
0.4
0.85 0.95
1
2
0.6
2.9
-60˚
+60˚
40
+70˚
20
+80˚
(4-R0.2)
0.9
+0.1
0.16
-0.06
-70˚
1.5
0.9
(R0.2)
-80˚
-90˚
+90˚
0
0.8
(0.3) (0.3)
(0.3)
0to0.15
0.3
(0.3)
引脚连接
1阳极
2阴极
未指定公差: ± 0.2
s
绝对最大额定值
功耗正向电流峰值正向电流
P
I
F
I
FM*1
型号颜色辐射材料辐射
( mW)的
(MA )
(MA )
LT1P53A
LT1D53A
LT1S53A
LT1H53A
LT1E53A
LT1K53A
红
红
日落橙色
黄
黄绿色
绿色
GAP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
GAP
GAP
23
85
85
50
50
50
10
30
30
20
20
20
50
50
50
50
50
50
1.1
-0.1
+0.2
(T
a
=25˚C)
降额因子反向电压工作温度储存温度焊接温度
(毫安/ C )
V
R
T
OPR
T
英镑
T
sol*2
(V)
(˚C)
(˚C)
(˚C)
直流脉冲
0.13
0.40
0.40
0.27
0.27
0.27
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
5
5
5
5
5
5
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+100
-25至+100
-25至+100
-25至+100
-25至+100
-25至+100
350
350
350
350
350
350
* 1占空比= 1 /10,脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 3秒或更少的手工焊接的温度。回流焊接的温度显示在以下页面上。
s
光电特性
正向电压
V
F
(V)
典型值
1.9
2.0
2.0
1.9
1.85
1.95
最大
2.3
2.8
2.8
2.5
2.5
2.5
峰值发射波长
I
F
λ
p
(纳米)
(MA )
典型值
5
695
20
635
20
610
10
585
10
565
10
555
发光强度
I
F
I
V
( MCD )
(MA )
典型值
5
1.4
20
9.6
20
7.8
10
3.7
10
4.8
10
2.2
光谱辐射带宽
I
F
Δλ ( nm)的
(MA )
典型值
5
100
20
35
20
35
10
30
10
30
10
25
反向电流
V
R
I
R
(µA)
(V)
最大
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
终端电容
C
t
(PF )
典型值
55
20
15
35
35
40
(T
a
=25˚C)
页面
特征
( MH
Z
)
图表
→
1
→
1
→
1
→
1
→
1
→
1
镜头类型
型号
LT1P53A
LT1D53A
乳白色
LT1S53A
扩散
LT1H53A
LT1E53A
LT1K53A
✱In
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(互联网)
•数据
对于夏普的光电/功率器件提供互联网(网址http://www.sharp.co.jp/ecg/ )
(公告)
99