S11MD4V/S11MD4T
S11MD4V/S11MD4T
s
特点
1.引脚5号完全成型的外
抗噪声能力
（ S11MD4T ）
2.双列直插式封装
(S11MD4V)
3.内置过零电路
4.高重复峰值断态电压
(V
DRM
： MIN 。 400V ）
输入和输出之间5.隔离电压
V
ISO
: 5 000V
RMS
（ S11MD4V / S11MD4T ）
6.通过UL认证，文件No.E64380
g
S11MD4V
和
S11MD4T
对于100V
线。
可控硅耦合器与
内置过零电路
s
外形尺寸
S11MD4V
2.54
±
0.25
6
5
4
6.5
±
0.5
（单位：毫米）
内部连接
图
6
5
4
零交叉
电路
1
2
3
1
2
3
4
阳极
阴极
NC
阳极/
阴极
5号克斯特
最终CON-
nection
6阳极/
阴极
S11MD4V
1
阳极
标志
2
3
0.9
±
0.2
1.2
±0.3
7.12
±0.5
3.5
±
0.5
7.62
±0.3
3.35
±
0.5
s
应用
1.对于触发中/高功率可控硅
0.5
典型值。
3.7
±
0.5
0.26
±
0.1
θ
:
0到13
˚
0.5
±
0.1
θ
S11MD4T
6
S11MD4T
4
6.5
±
0.5
内部连接
图
6
4
零交叉
电路
1
2
3
1
2
3
4
阳极
阴极
NC
阳极/
阴极
6阳极/
阴极
2
1
阳极
标志
2.54
±
0.25
7.12
±
0.5
3
0.9
±
0.2
1.2
±
0.3
7.62
±
0.3
0.5
典型值。
3.5
±0.5
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电压
RMS通态
当前
∗1
峰值一个周期
产量
浪涌电流
重复峰值
断态电压
*2
隔离电压
工作温度
储存温度
∗3
焊接温度
输入
（大= 25℃）
3.35
±
0.5
等级
单位
符号
S11MD4V/S11MD4T
50
mA
I
F
6
V
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
0.1
1.2
400
5 000
- 30 〜+ 100
- 55〜 + 125
260
A
RMS
A
V
V
RMS
˚C
˚C
˚C
0.26
±
0.1
θ
:
0到13
˚
θ
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
∗1
50Hz正弦波
∗2
40〜60 ％RH下，交流进行1分钟，
F = 60Hz的
∗3
10秒
“
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