S21MD3V
S21MD3V
..
s
特点
关闭电压的上升1.高爆击率
（ dv / dt的： MIN 500V / μ S）
2.高重复峰值断态电压
( V
DRM
： MIN 。 600V ）
输入和输出之间3.隔离电压
V
ISO
： 5 000Vrms
4. UL认证，文件No.E64380 （
S21MD3V
/
S21MD3W
)
g
S21MD3V
对于200V线路。
高抗噪音型
可控硅耦合器
s
外形尺寸
（单位：毫米）
内部连接
图
4
6.5
±
0.5
6
5
4
g
引脚成形型和胶带卷轴型也可提供。 （
S21MD3W/S21MD3P
)
gg
TUV （ VDE0884 ）认证的型号也可以作为一种选择。
2.54
±
0.25
6
5
S21MD3V
阳极
标志
1
2
3
0.9
±
0.2
1.2
±
0.3
1
2
3
s
应用
1.对于触发中/高功率可控硅
3.35
±
0.5
7.12
±
0.5
0.5
典型值。
3.5
±
0.5
7.62
±
0.3
阳极
阴极
NC
阳极/
阴极
5号外
连接
6阳极/
阴极
1
2
3
4
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
0.26
±
0.1
θ
:
0到13
˚
θ
s
绝对最大额定值
输入
参数
正向电流
反向电压
RMS通态电流
∗1
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
∗2
隔离电压
工作温度
储存温度
∗3
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
6
100
1.2
600
5 000
- 30至+ 100
- 55至+ 125
260
（大= 25℃）
单位
mA
V
mA
RMS
A
V
V
RMS
˚C
˚C
˚C
产量
∗1
正弦波
∗2
40 〜60％，相对湿度
AC 1分钟， F = 60Hz的
∗3
10秒
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
