S21MD6T
S21MD6T
..
s
特点
内置过零电路
可控硅耦合器
s
外形尺寸
图
6
S21MD6T
4
6.5
±
0.5
6
4
零
交
电路
1
2
3
g
TUV （ DIN - VDE0884 ）认证的型号也可以作为一种选择。
（单位：毫米）
内部连接
1.内置零交叉电路（ 200V ）
2.第5脚完全成型的外
抗噪声能力
AC线之间3.长电距离
( 3.9mm )
4.通过UL认证，文件No.E64380
s
应用
1.对于触发中/高功率可控硅
阳极
标志
1
2.54
±
0.25
2
3
0.9
±
0.2
1.2
±
0.3
7.12
±
0.5
3.5
±
0.5
7.62
±0.3
3.35
±
0.5
0.5
典型值。
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
0.26
±
0.1
θ
=
0到13
˚
θ
1阳极
2阴极
3 NC
4阳极/
阴极
6阳极/
阴极
s
绝对最大额定值
输入
参数
正向电流
反向电压
RMS通态电流
∗1
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
∗2
隔离电压
工作温度
储存温度
∗3
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
6
0.1
1.2
600
5 000
- 30至+ 100
- 55至+ 125
260
（大= 25℃）
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
˚C
˚C
˚C
产量
∗1
50Hz的正弦波
∗2
RH = 40 ％至60％ ，AC 1分钟中，f = 60Hz的
∗3
10秒
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
