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S21MD7T 参数 Datasheet PDF下载

S21MD7T图片预览
型号: S21MD7T
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内容描述: 低输入驱动型可控硅耦合器 [Low Input Driving Type Phototriac Coupler]
分类和应用: 可控硅光电三端双向交流开关输出元件驱动
文件页数/大小: 5 页 / 64 K
品牌: SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
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S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T
S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
g
对大坪卷轴类型
S21MD8T
也可用(
S21MD8P
)
g
DIN- VDE0884认证的型号也可以。
低输入驱动类型
可控硅耦合器
s
特点
1.低输入驱动电流
(
S11MD7T / S11MD8T / S21MD7T / S21MD8T
I
FT
: MAX 。 5毫安
S11MD9T / S21MD9T
I
FT
: MAX.7mA )
2.引脚5号完全成型的外
抗噪声能力
3.内置过零电路
( S11MD8T / S21MD8T )
4.高重复峰值断态电压
(
S11MD7T
/
S11MD8T
/
S11MD9T
V
DRM
: MIN 。 400V
S21MD7T
/
S21MD8T
/
S21MD9T
V
DRM
: MIN 。 600V
输入和输出之间5.隔离电压
( V
ISO
: 5 000V
RMS
)
6.通过UL认证,文件No.E64380
s
外形尺寸
(单位:毫米)
内部连接
6
S11MD8T
4
6.5
±
0.5
6
4
g
零交叉
电路
阳极
标志
1
2
3
0.9
±
0.2
1.2
±
0.3
1
2
3
2.54
±
0.25
7.12
±
0.5
7.62
±
0.3
3.5
±
0.5
3.35
±
0.5
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
0.5
典型值。
0.26
±
0.1
θ
:
0到13
˚
θ
s
型号阵容
无零交叉
电路
内置零
交叉电路
100V线
S11MD7T/
S11MD9T
S11MD8T
200V线
S21MD7T/
S21MD9T
S21MD8T
1阳极
2阴极
3 NC
4阳极/
阴极
6阳极/
阴极
零交叉电路
S11MD8T
S21MD8T
s
应用
1.对于触发中/高功率可控硅
s
绝对最大额定值
等级
参数
正向电流
反向电压
RMS通态电流
∗1
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
∗2
隔离电压
工作温度
贮藏期温度
∗3
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
400
5 000
- 30 〜+ 100
- 55〜 + 125
260
S11MD7T/S11MD8T
S11MD9T
S21MD7T/S21MD8T/
S21MD9T
(大= 25℃)
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
˚C
˚C
˚C
输入
产量
50
6
0.1
1.2
600
∗1
50Hz正弦波
∗2
40〜60 %RH下,交流,1分钟中,f = 60Hz的
∗3
10秒
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数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。