S11ME5/S11ME6/S21ME5/S21ME5F/S21ME6/S21ME6F
S11ME5/S11ME6/S21ME5F
S21ME5/S21ME6/S21ME6F
s
特点
1.内部隔离距离： 0.4毫米以上
2，爬电距离： 6.4毫米以上
3.清除： 6.4毫米以上
4.通过UL文件号E64380 Recogized
通过VDE认证（ DIN - VDE0884 ： No.76850 ）
通过BSI认可（ BS415 ： No.6690 ， BS7002 ： No.7421 ）
通过SEMKO批准（ No.9202227 ）
通过DEMKO批准（ No.107968 ）
被EI批准（ No.152029-02,03,04,0116 ）
5.内置零交叉电路
（ S11ME6 / S21ME6 / S21ME6F ）
6.宽成形型
（ S21ME5F ， S21ME6F ）
（铅引脚之间的距离： 10.16毫米）
输入和7之间的高隔离电压
产量
（维索： 5 000V
RMS
)
可控硅耦合器整合型，以
欧洲安全标准
g
导致形成型（ I型） /
S21ME5F / S21ME6F
也可提供。
(
/
S21ME5FI / S21ME6FI ）
g
DIN- VDE0884认证的型号也可以作为一种选择。
s
外形尺寸
S11ME5/S11ME6
S21ME5/S21ME6
1.2
±
0.3
0.9
±
0.3
1.2
±
0.3
0.9
±
0.3
（单位：毫米）
S21ME5F/S21ME6F
阳极大关
2.54
±0.25
4.58
±
0.5
1
阳极大关
4
S21ME5
4.58
±
0.5
4.58
±
0.5
3.5
±
0.5
0.26
±
0.1
10.16
±
0.5
2.7
民
0.5
±
0.1
2.54
±
0.25
3
6.5
±
0.5
S11ME5
2
6.5
±
0.5
7.62
±
0.3
4.58
±
0.5
3.5
±
0.5
7.62
±
0.3
2.7
民
θ
θ
:
0至13˚
3.4
±
0.5
0.26
±
0.1
0.5
±
0.1
内部连接图
S11ME5/S21ME5/S21ME5F
4
3
0.5
S11ME6/S21ME6/S21ME6F
4
3
s
应用
1.对于触发中/高功率可控硅
2.对于检测过的开关电压
电源
2
1
1阳极
2阴极
3阳极/
阴极
4阳极/
阴极
1
2
零交叉电路
s
绝对最大额定值
输入
参数
正向电流
反向电压
RMS通态电流
∗1
峰值一个周期浪涌电流
S11ME5
/
S11ME6
重复峰值
∗2
断态电压
S21ME5
/S21ME6
∗3
隔离电压
工作温度
储存温度
∗4
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
6
100
1.2
400
600
5 000
- 30至+ 100
- 55至+ 125
260
（大= 25℃）
单位
mA
V
mA
RMS
A
V
V
RMS
˚C
˚C
˚C
产量
∗1
50Hz正弦波
∗2
还
S21ME5F / S21ME6F
∗3
40〜60 ％RH下，交流，1分钟中，f = 60Hz的
∗4
10秒
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
