S11MS3/S21MS3/S21MS4
S11MS3/
S21MS3/S21MS4
s
特点
1.超小型，微型扁平封装类型
（ 3.6× 4.4× 2.0毫米）
2.内置零交叉电路
（ S21MS4 ）
输入和3之间的高隔离电压
输出（Ⅴ
ISO
: 3 750V
RMS
)
4.通过UL认证，文件No.E64380
高密度表面贴装
微型扁平封装
可控硅耦合器
s
外形尺寸
1.27
±
0.25
型号
6 5 4
S
阳极
标志
0.6
马克斯。
（单位：毫米）
内部连接
图
6
5
4
g
零交叉
电路
1
3
1
3
0.4
±
0.1
0.1
±0.1
2.6
±
0.2
对于100V线路
没有内置
零交叉电路
内建的
零交叉电路
S11MS3
-
对于200V线路
S21MS3
S21MS4
6
˚
1阳极
3阴极
4阳极/
阴极
0.5
+
0.4
-
0.2
7.0
+
0.2
-
0.7
s
应用
1.对于触发中/高功率
双向可控硅
5无需外部连接
6阳极/
阴极
g
零交叉电路
S21MS4
s
绝对最大额定值
参数
输入
正向电流
反向电压
∗1
RMS通态电流
∗2
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
∗3
隔离电压
工作温度
存储temperatrue
∗4
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
S11MS3
（大= 25℃）
等级
S21MS3/S21MS4
50
6
0.05
0.6
400
600
3 750
- 30 〜+ 100
- 40〜 + 125
260
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
˚C
˚C
˚C
I
T
(A)
0
θ
1
2
•
I
T
θ
1
,
θ
2
＆ LT ;?
90˚
θ
2
180˚
90˚
360˚
θ
产量
焊接区
0.2毫米以上
∗1
导通角的定义
θ
有效的ON电流I
T
应，如图
在右边的图。
∗2
50Hz正弦波
∗3
40〜60 ％RH下，交流进行1分钟
∗4
10秒，
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
0.2
±
0.05
s
型号阵容
3.6
±
0.3
C0.4
输入端
4.4
±
0.2
5.3
±
0.3
SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
