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型号: AO3160
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内容描述: 600V , 0.04A N沟道MOSFET [600V,0.04A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 311 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO3160
600V , 0.04A N沟道MOSFET
概述
该AO3160是使用被设计用于提供高水平的先进的高电压MOSFET的工艺制造
在流行的AC- DC应用的性能和耐用性。通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
保证雪崩能力,该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线POWERSUPPLY
设计。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
700V@150℃
0.04A
& LT ; 500Ω
< 600Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A,F
B
最大
600
±20
0.04
0.03
0.12
5
1.39
0.89
-50-150
单位
V
V
A
V / ns的
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
漏电流脉冲
峰值二极管恢复的dv / dt
T
A
=25°
C
功耗
A
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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