欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AO3406 参数 Datasheet PDF下载

AO3406图片预览
型号: AO3406
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 402 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AO3406的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO3406的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO3406的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO3406的Datasheet PDF文件第5页  
模拟电源
飞思卡尔
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOT- 23节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM2322N
AO3406 / MC3406
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
(Ω)
0.085 @ V
GS
= 10V
30
0.125 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
2.5
1.7
G
D
S
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
符号最大单位
漏源电压
V
DS
30
V
栅源电压
±
20
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流(二极管传导)
a
功耗
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
2.5
2
10
0.46
1.25
0.8
-55到150
o
A
A
W
C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
热电阻额定值
帕拉梅德ř
吨< = 5秒
a
最大结点到环境
稳态
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
符号
R
thJA
最大
150
200
单位
o
C / W
1
www.freescale.net.cn