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AO3409 参数 Datasheet PDF下载

AO3409图片预览
型号: AO3409
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内容描述: P - 沟道逻辑电平MOSFET低栅极电荷 [P - Channel Logic Level MOSFET Low Gate Charge]
分类和应用: 晶体栅极晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 439 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
类似物
飞思卡尔
飞思卡尔
AO3409/MC3409
AM2319P
OWER
规格(T
A
= 25°C除非另有说明)
帕拉梅德ř
符号
特S T条件
范围
单位
最小典型最大
-1
-10
±100
o
STATIC
零栅极电压漏极电流
门体漏
门THRES保持电压
通态漏电流
A
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55
o
C
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± V
20
µA
nA
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= -5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -10 V,I
D
= -2.1 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -1.7 A
V
DS
= -5 V,I
D
= -2.1 A
I
S
= -0.4 A,V
GS
= 0 V
-1.30
-3
0.20
0.30
2
-0.70
3.4
0.8
1.5
8
18
52
39
-1.2
漏源- RES是tance
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
A
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
RIS E时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= -10 V, V
GS
= -5 V,
I
D
= -2.1 A
nC
V
DS
= -10 V,I
D
= -1.1 A,
R
G
= 50 Ω, V
= -10 V
ns
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
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