AO4202
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4202采用沟道MOSFET技术,具有独特的优化,以提供最有效的高
高频开关性能。功率损失是由于最小化,以极低的R组合
DS ( ON)
和C
RSS
此外,开关特性得到很好的控制了“肖特基风格的”软恢复体二极管。
.
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
30V
19A
< 5.3mΩ
< 7MΩ
SOIC-8
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
30
±20
19
15
130
38
72
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
C
T
A
=70°
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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