AO4611
双路60V P + N沟道MOSFET
概述
该AO4611采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
低
栅极电荷。所述互补的MOSFET可被用于形成一个电平移位的高侧开关，
和许多其它的应用程序。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 6.3A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 25MΩ （V
GS
=10V)
30mΩ到< （V
GS
=4.5V)
< 42mΩ （V
GS
= -10V)
< 52mΩ （V
GS
= -4.5V)
P沟道
-60V
-4.9A
SOIC-8
D2
顶视图
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
D1
G2
S2
G1
S1
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
最大的n沟道
漏源电压
V
DS
60
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
P沟道
单位
V
V
A
最大的p沟道
-60
±20
-4.9
-3.9
-30
2
1.28
-55到150
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
±20
6.3
5
40
2
1.28
-55到150
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
48
74
35
48
74
35
最大
62.5
110
60
62.5
110
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
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