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    AO4612 参数 Datasheet PDF下载

    AO4612图片预览
    型号： AO4612
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 60V互补增强60V互补性增强 [60V Complementary Enhancement 60V Complementary Enhancement]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 698 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AO4612的Datasheet PDF文件第9页  
    AO4612
    60V互补增强
    型场效应晶体管
    概述
    该AO4612采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供优秀的研发
    DS （ ON）
    和低门
    费。所述互补的MOSFET可以在H桥，换流器和其它应用程序中使用。
    特点
    N沟道
    V
    DS
    (V) = 60V
    I
    D
    = 4.5A （V
    GS
    =10V)
    R
    DS （ ON）
    < 56mΩ （V
    GS
    =10V)
    < 77mΩ （V
    GS
    =4.5V)
    P沟道
    -60V
    -3.2A （V
    GS
    = -10V)
    R
    DS （ ON）
    < 105mΩ （V
    GS
    = -10V)
    < 135mΩ （V
    GS
    = -4.5V)
    SOIC-8
    D2
    D1
    S2
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2
    D2
    D1
    D1
    G2
    S2
    G1
    S1
    SOIC-8
    N沟道
    P沟道
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    最大的n沟道
    V
    DS
    漏源电压
    60
    V
    GS
    栅源电压
    ±20
    连续漏极
    当前
    A
    漏电流脉冲
    功耗
    B
    最大的p沟道
    -60
    ±20
    -3.2
    -2.6
    -20
    2
    1.28
    -55到150
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    V
    V
    A
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    4.5
    3.6
    20
    2
    1.28
    -55到150
    典型值
    48
    74
    35
    W
    °C
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    T
    J
    , T
    英镑
    结温和存储温度范围
    热特性： n沟道和p沟道
    参数
    符号
    A
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    R
    θJA
    A
    稳态
    最大结点到环境
    R
    θJL
    稳态
    最大结对铅
    C
    1/9
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