AO4613
双路30V P + N沟道MOSFET
概述
该AO4613采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
低
栅极电荷。所述互补的MOSFET可被用于形成一个电平移位的高侧开关，
和许多其它的应用程序。
特点
N沟道
P沟道
V
DS
(V) = 30V
-30V
I
D
= 7.2A （V
GS
=10V)
-6.1A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
=10V)
< 37MΩ （V
GS
= -10V)
< 40MΩ （V
GS
=4.5V)
<的60mΩ （V
GS
= -4.5V)
SOIC-8
D1
顶视图
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
D2
G1
G2
S1
S2
P沟道
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
漏源电压
30
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
C
T
A
=25°
功耗
雪崩电流
B
重复雪崩能量0.1mH
B
N沟道
最大的p沟道
-30
±20
-6.1
-5.1
-30
2
1.44
20
20
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
T
A
=70°
C
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
±20
7.2
6.1
30
2
1.44
15
11
-55到150
W
A
mJ
°
C
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
典型值
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
最大
55
92
37
48
84
37
62.5
110
50
62.5
110
50
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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