AO4800B
30V
双N沟道MOSFET
概述
该AO4800B采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。两
的MOSFET做一个紧凑,高效的开关和同步整流器组合在降压使用
转换器。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 2.5V)
30V
6.9A
< 27mΩ
< 32mΩ
< 50mΩ以下
D1
顶视图
S2
G2
S1
G1
D1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
30
±12
6.9
5.8
30
14
10
2
1.3
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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